Laserrengöringslösningar för halvledarindustrin

När halvledarteknologin fortsätter att krympa har avancerade integrerade kretsenheter förvandlats från plana till tredimensionella strukturer. Tillverkningsprocessen för integrerade kretsar blir mer och mer komplex och kräver ofta hundratals eller till och med tusentals processsteg. För avancerad tillverkning av halvledarenheter kommer det efter varje process att finnas mer eller mindre partikelformiga föroreningar, metallrester eller organiska rester på ytan av kiselskivan. Den kontinuerliga krympningen av anordningsstorlekar och den ökande komplexiteten hos tredimensionella anordningsstrukturer har gjort att halvledaranordningar blir allt mer känsliga för partikelkontamination, föroreningskoncentration och kvantitet.

Högre krav har ställts på rengöringstekniken för förorenade partiklar på maskytan av kiselwafers. Nyckelpunkten är att övervinna den enorma adsorptionskraften mellan de förorenade partiklarna och substratet. För närvarande använder många halvledartillverkare sura rengöringsmetoder. Tvätt och manuell torkning är inte bara ineffektivt utan ger också sekundära föroreningar. Så vilken typ av rengöringsmetod är för närvarande mer lämplig för rengöring av halvledarprodukter? Laserrengöring är för närvarande en lämpligare metod. När lasern skannar över kommer all smuts på ytan av materialet att tas bort, och smutsen i springorna kommer att tas bort. Det kan enkelt tas bort, repar inte materialytan och orsakar inte sekundär förorening. Det är ett säkert val.

Dessutom, eftersom storleken på integrerade kretsenheter fortsätter att krympa, har materialförlust och ytråhet under rengöringsprocessen blivit frågor som måste uppmärksammas. Att ta bort partiklar utan materialförlust och mönsterskador är det mest grundläggande kravet. Laserrengöringstekniken har unik kontakt, ingen termisk effekt, inga ytskador på föremålet som ska rengöras och ingen sekundär förorening, vilket är ojämförliga fördelar med traditionella rengöringsmetoder. Det är den bästa rengöringsmetoden för att lösa föroreningen av halvledarenheter.